碳化硅陶瓷，此種是陶瓷材料中高溫強度最好的一種，其抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷里最好的，因而被廣泛的應用于各個工業領域。

無壓燒結

無壓燒結被認為是最有希望的SiC燒結燒結方法。根據不同的燒結機理，無壓燒結可分為固相燒結和液相燒結。通過在超細β-SiC粉末中同時添加適量的B和C(氧含量小于2%)，將S. Proehazka在2020℃下燒結至密度高于98%的SiC燒結體。A.Mulla等人。使用Al2O3和Y2O3作為添加劑，在1850-1950℃燒結0.5μmβ-SiC(顆粒表面含有少量SiO2)。所得SiC陶瓷的相對密度大于理論密度的95%，并且晶粒尺寸小且平均尺寸。它是1.5微米。

反應燒結

反應燒結碳化硅，又稱自結合碳化硅，是指多孔鋼坯與氣相或液相反應，提高鋼坯質量，減少氣孔，并以一定的強度和尺寸精度燒結成品的過程。將α-SiC粉末與石墨按一定比例混合，加熱到1650℃左右，形成方坯。同時，它通過氣相Si滲透或滲透到鋼坯中，與石墨反應生成β-SiC，結合現有的α-SiC顆粒。當Si完全滲入時，可以得到密度完全、尺寸無收縮的反應燒結體。與其它燒結工藝相比，致密過程中反應燒結的尺寸變化較小，可以制得尺寸精確的產品，但燒結體中大量SiC的存在使反應燒結SiC陶瓷的高溫性能變差。

無壓力燒結SiC陶瓷、熱等靜壓燒結SiC陶瓷和反應燒結SiC陶瓷具有不同的性能。例如，在燒結密度和抗彎強度方面，SiC陶瓷的熱壓燒結和熱等靜壓燒結相對較多，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能隨燒結助劑的變化而變化。SiC陶瓷的無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結具有較好的耐酸、耐堿性能，但反應燒結SiC陶瓷抗HF等超強酸腐蝕性能較差。當溫度低于900℃時，幾乎所有SiC陶瓷的抗彎強度都比高溫燒結陶瓷大幅度提高，反應燒結SiC陶瓷的抗彎強度在超過1400℃時急劇下降。(這是由于一定量的游離Si，在燒結體上是由一定溫度以上的彎曲強度急劇下降引起的。)對于無壓力燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，高溫性能主要受添加劑種類的影響。

SiC陶瓷的這兩種燒結方法各有優勢。然而，在當今科學技術的飛速發展中，迫切需要提高SiC陶瓷的性能，不斷改進制造工藝，降低生產成本，實現SiC陶瓷的低溫燒結。為了降低能耗，降低生產成本，促進SiC陶瓷產品的產業化。